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IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源

简要描述:IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源R3代驱动电源产品基于自主IC设计平台,在可靠性上相较于R1代和竞品有了极大的提升,隔离电压高达5000VAC(R1产品/竞品为3750VAC),满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

  • 产品型号:QA_(T)-R3G系列
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-12-28
  • 访  问  量:168

详细介绍

品牌MORNSUN

基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源,市场潜力巨大。

金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案,基于自主电路平台、IC平台、工艺平台,升级推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3G/QAC-R3G系列产品,同时为结合充电桩市场应用需求,打造了全新的满足元器件100%国产化、高可靠的R3代驱动电源产品。

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二、IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列产品优势

1、优势特点

①高可靠隔离电压:5000VAC(加强绝缘)

R3代驱动电源产品基于自主IC设计平台,在可靠性上相较于R1代和竞品有了极大的提升,隔离电压高达5000VAC(R1产品/竞品为3750VAC),满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

②满足1700VDC长期绝缘要求

作为现阶段主流的半导体器件,应用电压为650V/900V/1200V/1700V;R3代驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V,应用范围覆盖1700V及以下的IGBT器件。

③元器件100%国产化,多项性能指标提升

R3代驱动电源相较于R1代产品,在整体性能上得到了很大提升。

    ● 效率提升:80%→86%

    ● 纹波下降:75mVpp→50mVpp

    ● 强带载能力:220uF→2200uF

    ● 静电性能提升:±6kV→±8kV 

 

2、IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列优势对比

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表1 QA-R3G系列性能对比表

三、产品应用

作为IGBT/SiC MOSFET的专业驱动电源,该系列产品在应用上基本覆盖相对应的行业,包含充电桩、光伏等领域。

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QA_(T)-R3G系列应用电路图

四、产品特点

1、QA-R3G系列

    ● 超小型SIP封装

    ● CMTI>200kV/μs                         

    ● 局部放电1700V

    ● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)

    ● 最大容性负载2200μF

    ● 超小隔离电容3.5pF(typ.)

    ● 工作温度范围:-40℃ to +105℃

    ● 可持续短路保护

2、QA_T-R3G系列

    ● CMTI>200kV/μs

    ● 局部放电1700V

    ● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)

    ● 最大容性负载2200μF

    ● 超小隔离电容2.5pF(typ.)

    ● 工作温度范围:-40℃ to +105℃

    ● SMD封装

    ● 效率高达86%

    ● 可持续短路保护

 

五、产品选型

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表2 QA-R3G系列选型表

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表3 QA_T-R3G系列选型表

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