您好!欢迎访问广州金升阳科技有限公司网站!
全国服务咨询热线:

18826065230

当前位置:首页 > 产品中心 > 小型开关电源 > 开关电源24v > QA_HCD2-R3系列4.8W双组输出IGBT驱动电源

4.8W双组输出IGBT驱动电源

简要描述:4.8W双组输出IGBT驱动电源基于自主IC设计平台,此系列产品能提供两组隔离输出电压,输出1-输出2隔离电压高达3750VAC,同时输入-输出隔离电压高达5000VAC,远优于市场上常规产品,且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

  • 产品型号:QA_HCD2-R3系列
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2022-11-30
  • 访  问  量:84

详细介绍

一、4.8W双组输出IGBT驱动电源产品介绍

随着新能源行业的发展,IGBT /SiC MOSFET作为充电桩设备、光伏SVG系统中的关键半导体器件组成部分,市场对其应用条件和性能提出更高的要求,对于驱动方案的要求也随之提高。日前,金升阳推出了IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3/QA_C-R3系列产品,以及满足更加严苛的应用需求的驱动电源QA_H-R3/QA_HC-R3系列产品。

为打造更具有高性价比的驱动电源,金升阳基于自主IC设计平台升级开发出内部采用非对称式电压输出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列产品,以期为客户提供更优质的电源解决方案。

二、4.8W双组输出IGBT驱动电源产品优势

①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘

基于自主IC设计平台,此系列产品能提供两组隔离输出电压,输出1-输出2隔离电压高达3750VAC,同时输入-输出隔离电压高达5000VAC,远优于市场上常规产品,且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

②满足1700VDC长期绝缘要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)

QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V,且应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件,产品原副边电气间隙/爬电距离达22.36mm(typ.)。

③性能更优

<1>支持双组驱动,满足半桥式整流应用

<2>低低纹&波噪声:50mVpp

<3>强带载能力:2200uF

<4>超小隔离电容:4.2pF

<5>高效率:85%

④高性价比

此系列是专门为IGBT/SIC MOSFET驱动器而设计的DC-DC模块电源,其内部采用了非对称式电压输出形式,尽可能减小IGBT/SIC MOSFET的驱动损耗。且双组输出QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列的成本低于2个单组输出产品合价。

 

三、产品应用

作为IGBT/SiC MOSFET专用驱动电源,可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中IGBT/SiC MOSFET器件的驱动,以光伏SVG系统为例,可配合驱动芯片来共同驱动后端的IGBT器件,实现系统的有效运行。

四、产品特点

● 隔离电压5000VAC(加强绝缘)

● 局部放电 1700V

● CMTI>200kV/μs

● 最大容性负载2200μF

● 超小隔离电容4.2pF(typ.)

● 效率高达85%

● 工作温度范围: -40℃ to +105℃

 

五、产品布局


产品咨询

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7
广州金升阳科技有限公司
地址:广东省广州市黄埔区科学城科学大道科汇发展中心科汇一街5号
邮箱:market210@mornsun.cn
传真:
关注我们
欢迎您关注我们的微信公众号了解更多信息:
欢迎您关注我们的微信公众号
了解更多信息