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MOSFET用驱动电源R3系列

简要描述:MOSFET用驱动电源R3系列R3系列驱动电源产品基于自主IC设计平台,隔离电压高达5000VAC,远优于市场上常规产品(3750VAC),且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

  • 产品型号:QA053-1509R3
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2022-05-30
  • 访  问  量:100

详细介绍

类型AC/DC电源输入电压5V
输出功率82W调制方式脉冲宽度调制(PWM)式
输出电压-8.7~15V

MOSFET用驱动电源R3系列产品介绍

        随着新能源汽车和光伏行业不断发展,半导体器件的应用不断扩宽,IGBT/SiC MOSFET作为充电桩设备、光伏SVG系统中的关键半导体器件组成部分,市场对其应用条件和性能提出了更高的要求,随之也带来了对驱动方案的高要求。

        金升阳基于自主电路平台、IC平台、工艺平台,升级开发IGBT/SiC MOSFET用第三代驱动电源QA-R3/QA_C-R3系列产品。同时为满足更加严苛的应用需求,打造了全新的爬电距离满足1700V系统电源应用的驱动电源QA_H-R3/QA_HC-R3系列产品,以期为客户提供更优质的电源解决方案。

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 MOSFET用驱动电源R3系列产品优势

1、5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘

R3系列驱动电源产品基于自主IC设计平台,隔离电压高达5000VAC,远优于市场上常规产品(3750VAC),且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。

2、满足1700VDC长期绝缘要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)

作为现阶段主流的半导体器件,市面上IGBT/SiC MOSFET多为中低压应用,应用电压为650V/900V/1200V/1700V;R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V,应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是满足了爬电距离>14.14mm。

3、多项性能指标提升

        R3系列驱动电源相较于R1系列产品,整体性能也进行了优化提升

        <1>效率提升:80%→87%

        <2>纹波下降:75mVpp→50mVpp

        <3>强带载能力:220uF→2200uF

        <4>静电性能提升:±6kV→±8kV 

        <5>隔离电容降低:6.6pF→3.5pF

 产品应用

作为IGBT/SiC MOSFET用驱动电源,在产品应用上与IGBT/SiC MOSFET应用重合,可用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩等多种场合中IGBT/SiC MOSFET器件的驱动;已光伏SVG系统为例,可配合驱动芯片来共同驱动后端的IGBT期间,实现系统的有效运行。

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产品特点

● 隔离电压5000VAC(满足加强绝缘)

● 长期绝缘:1700VDC

● 效率高达87%

● 超小型SIP封装

● 最大容性负载2200uF

● 超小隔离电容3.5pF(typ.)

● 工作温度范围:-40℃ to +105℃




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